|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Fabrication and characteristics of tin-doped n-layers into gallium arsenide by an open-tube diffusion process |
| Auteur: |
Ledakovitch, P.J. Agarwal, R. Ghandhi, S.K. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (1987) nr. 7 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1987 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |