|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
An accurate mobility model for the I–V characteristics of n-channel enhancement-mode MOSFETs with single-channel boron implantation |
| Auteur: |
Wu, Ching-Yuan Daih, Yeong-Wen |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 28 (1985) nr. 12 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1985 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |