|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 46 gevonden artikelen
| Titel: |
Band-gap narrowing in the space-charge region of heavily doped silicon diodes |
| Auteur: |
Lowney, Jeremiah R. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 28 (1985) nr. 1-2 pagina's 187-191 |
| Jaar: |
1985 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 46 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |