|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Device-quality SiO2 films on InP and Si obtained by operating the pyrolytic CVD reactor in the retardation regime |
| Auteur: |
Lakhani, Amir A. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 27 (1984) nr. 10 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1984 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |