|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
A study of grown-in impurities in silicon by deep-level transient spectroscopy |
| Auteur: |
Rohatgi, A. Davis, J.R. Hopkins, R.H. McMullin, P.G. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 26 (1983) nr. 11 pagina's 13 p. |
| Jaar: |
1983 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |