|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Threshold shift of p-channel transistors by boron implantation and the C-V characteristics of the corresponding mos structures |
| Auteur: |
Fang, R.C.Y. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 26 (1983) nr. 1 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1983 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 13 gevonden artikelen
| << vorige |