|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
I–V characteristics of tunnel MOS structures with silicon oxide obtained in RF oxygen plasma |
| Auteur: |
Atanassova, E.D. Pushkarov, D.I. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 25 (1982) nr. 8 pagina's 9 p. |
| Jaar: |
1982 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |