|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Substrate response of a floating gate n-channel MOS memory cell subject to a positive linear ramp voltage |
| Auteur: |
Lee, Han-Sheng Lowrie, David Scott |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 24 (1981) nr. 3 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
1981 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 12 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |