|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of dopant distribution and built-in electric field on the transit time of a transistor |
| Auteur: |
Chowdhury, N.K.D. Ghosh, F. Biswas, T.B. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 23 (1980) nr. 3 pagina's 3 p. |
| Jaar: |
1980 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |