|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
The impact of drift region length on total ionizing dose effects on LDMOSFET |
| Auteur: |
Li, Shun Lu, Hongliang Qiao, Jing Yao, Ruxue Zhang, Yutao Zhang, Yuming |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 227 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |