|
Study on electrical performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on cap layer design |
|
|
|
Titel: |
Study on electrical performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on cap layer design |
Auteur: |
Zhang, Tieying Cui, Peng Luo, Xin Chen, Siheng Wang, Liu Dai, Jiacheng Qi, Kaifa Linewih, Handoko Lin, Zhaojun Xu, Xiangang Han, Jisheng |
Verschenen in: |
Solid-state electronics |
Paginering: |
Jaargang 224 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2025 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|