|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 10 gevonden artikelen
| Titel: |
Degradation analysis of GaN-based high–electron-mobility transistors under different stresses in semi-on state conditions |
| Auteur: |
Wen, Qian Guo, Chunsheng Zhang, Meng Zheng, Xiang Feng, Shiwei Zhang, Yamin |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 220 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 10 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |