|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
One-dimensional device model of the npn bipolar transistor including heavy doping effects under fermi statistics |
| Auteur: |
Nakagawa, Akio |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 22 (1979) nr. 11 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
1979 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |