|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Low-frequency noise characterization of positive bias stress effect on the spatial distribution of trap in β-Ga2O3 FinFET |
| Auteur: |
Bae, Hagyoul Lee, Geon Bum Yoo, Jaewook Lee, Khwang-Sun Ku, Ja-Yun Kim, Kihyun Kim, Jungsik Ye, Peide D. Park, Jun-Young Choi, Yang-Kyu |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 215 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |