|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved electrical performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors with forming gas annealing |
| Auteur: |
Chen, Siheng Cui, Peng Linewih, Handoko Cheong, Kuan Yew Xu, Mingsheng Luo, Xin Wang, Liu Sun, Jiuji Dai, Jiacheng Han, Jisheng Xu, Xiangang |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 213 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 8 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |