|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 10 gevonden artikelen
| Titel: |
The effects and mechanisms of 2 MeV proton irradiation on high bias conditions of InP/InGaAs DHBTs |
| Auteur: |
Liu, Runkun Mei, Bo Su, Yongbo Yang, Feng Zhang, Jialin Zhang, Chen Yun, Huanqing Sun, Yi Zhang, Haiming Jin, Zhi Zhong, Yinghui |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 212 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 10 gevonden artikelen
| << vorige |