|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Ion implantation damage in GaAs: A TEM study of the variation with ion species and stoichiometry |
| Auteur: |
Elliott, Charles R. Ambridge, Thomas Heckingbottom, Roger |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 21 (1978) nr. 6 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1978 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |