|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
Experimental assessment of gate-induced drain leakage in SOI stacked nanowire and nanosheet nMOSFETs at high temperatures |
| Auteur: |
de Souza, Michelly Cerdeira, Antonio Estrada, Magali Cassé, Mikaël Barraud, Sylvain Vinet, Maud Faynot, Olivier Pavanello, Marcelo A. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 208 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 29 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |