|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 37 gevonden artikelen
| Titel: |
Reliability of TCAD study for HfO2-doped Negative capacitance FinFET with different Material-Specific dopants |
| Auteur: |
Jaisawal, Rajeewa Kumar Rathore, Sunil Kondekar, P.N. Bagga, Navjeet |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 199 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 37 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |