|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 37 gevonden artikelen
| Titel: |
Corrigendum to “Modeling and simulations of FDSOI five-gate qubit MOS devices down to deep cryogenic temperatures” [Solid State Electron. 193 (2022) 108291] |
| Auteur: |
Catapano, E. Aprà, A. Cassé, M. Gaillard, F. de Franceschi, S. Meunier, T. Vinet, M. Ghibaudo, G. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 199 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 37 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |