|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of sidewall spacer materials and gate underlap length on negative capacitance double-gate tunnel field-effect transistor (NCDG-TFET) |
| Auteur: |
Go, Seungwon Kim, Shinhee Park, Jae Yeon Lee, Dong Keun Noh, Hyung Ju Park, So Ra Kim, Yoon Kim, Dae Hwan Kim, Sangwan |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 198 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |