|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
Extraction of effective mobility of In 0.8 Ga 0.2 As/In 0.52 Al 0.48As quantum well high-electron-mobility transistors on InP substrate |
| Auteur: |
Park, Wan-Soo Kim, Jun-Gyu Yun, Seung-Won Jeong, Hyeon-Seok Jo, Hyeon-Bhin Kim, Tae-Woo Tsutsumi, Takuya Sugiyama, Hiroki Matsuzaki, Hideaki Kim, Dae-Hyun |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 197 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |