|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 7 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of back-gate bias impact on 22 nm FDSOI SRAM cell |
| Auteur: |
lv, Yinghuan Ge, Hao Xie, Tiantian Ren, Zhipeng Chen, Jing |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 196 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 7 gevonden artikelen
| volgende >> |