|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 74 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of doping on Al2O3/GaN MOS capacitance |
| Auteur: |
Rrustemi, B. Piotrowicz, C. Jaud, M-A. Triozon, F. Vandendaele, W. Mohamad, B. Gwoziecki, R. Ghibaudo, G. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 194 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 74 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |