|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of fully silicided source/drain SOI UTBB nMOSFETs at cryogenic temperatures |
| Auteur: |
Han, Yi Xi, Fengben Allibert, Frederic Radu, Ionut Prucnal, Slawomir Bae, Jin-Hee Hoffmann-Eifert, Susanne Knoch, Joachim Grützmacher, Detlev Zhao, Qing-Tai |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 192 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 12 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |