|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulation of low frequency noise in buried-channel MOSFET by a Green’s function-based numerical trap level model |
| Auteur: |
Shen, Shi Yuan, Jie |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 192 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 12 gevonden artikelen
| << vorige |