|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 6 gevonden artikelen
| Titel: |
Enhanced breakdown voltage of Si-GaN monolithic heterogeneous integrated Cascode FETs by the device structure design |
| Auteur: |
Zhang, Jiaqi Zhang, Weihang Wan, Jing Yang, Guofang Cheng, Ya'nan Zhang, Yachao Chen, Dazheng Zhao, Shenglei Zhang, Jincheng Zhang, Chunfu Hao, Yue |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 190 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 6 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |