|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Theoretical model for calculation of breakdown voltage of implanted p-n junctions |
| Auteur: |
Keresztes, P. Mohácsi, T. Hegedüs, A. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 (1976) nr. 5 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1976 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |