|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
High-densities of free holes in homoepitaxial n-GaN induced by fluorine-plasma ion implantation |
| Auteur: |
Chen, Leilei Li, Jinxiao Wang, Yanping Feng, Huiwei Yan, Dawei Gu, Xiaofeng |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 189 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |