|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
Combination of selective area sublimation of p-GaN and regrowth of AlGaN for the co-integration of enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors |
| Auteur: |
Ngo, Thi Huong Comyn, Rémi Chenot, Sébastien Brault, Julien Damilano, Benjamin Vézian, Stéphane Frayssinet, Eric Cozette, Flavien Defrance, Nicolas Lecourt, François Labat, Nathalie Maher, Hassan Cordier, Yvon |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 188 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 9 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |