|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 4 gevonden artikelen
| Titel: |
An implicit analytical surface potential based model for long channel symmetric double-gate MOSFETs accounting for oxide and interface trapped charges |
| Auteur: |
Livingston, Ian P. Esqueda, Ivan S. Barnaby, Hugh J. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 187 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 4 gevonden artikelen
| volgende >> |