|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Gate dielectric material influence on DC behavior of MO(I)SHEMT devices operating up to 150 °C |
| Auteur: |
Agopian, P.G.D. Carmo, G.J. Martino, J.A. Simoen, E. Peralagu, U. Parvais, B. Waldron, N. Collaert, N. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 185 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |