|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 6 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved fabrication of fully-recessed normally-off SiN/SiO2/GaN MISFET based on the self-terminated gate recess etching technique |
| Auteur: |
Li, Mengjun Wang, Jinyan Zhang, Bin Tao, Qianqian Wang, Hongyue Cao, Qirui Huang, Chengyu Liu, Jingqian Mo, Jianghui Wu, Wengang Cai, Shujun |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 177 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 6 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |