|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 10 gevonden artikelen
| Titel: |
Performance and reliability improvement in Ge(1 0 0) nMOSFETs through channel flattening process |
| Auteur: |
Chang, Wen-Hsin Irisawa, Toshifumi Mizubayashi, Wataru Ishii, Hiroyuki Maeda, Tatsuro |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 169 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 10 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |