|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 10 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of edge-terminated structure for lateral AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with gated ohmic anode |
| Auteur: |
Ki, Ra-Seong Lee, Jea-Gil Cha, Ho-Young Seo, Kwang-Seok |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 166 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 10 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |