|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulation of the effect of parasitic channel height on characteristics of stacked gate-all-around nanosheet FET |
| Auteur: |
Choi, Yunho Lee, Kitae Yeon Kim, Kyoung Kim, Sihyun Lee, Junil Lee, Ryoongbin Kim, Hyun-Min Suh Song, Young Kim, Sangwan Lee, Jong-Ho Park, Byung-Gook |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 164 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |