|
All MOCVD grown Al0.7Ga0.3N/Al0.5Ga0.5N HFET: An approach to make ohmic contacts to Al-rich AlGaN channel transistors |
|
|
|
Titel: |
All MOCVD grown Al0.7Ga0.3N/Al0.5Ga0.5N HFET: An approach to make ohmic contacts to Al-rich AlGaN channel transistors |
Auteur: |
Xue, Hao Hwang, Seongmo Razzak, Towhidur Lee, Choonghee Calderon Ortiz, Gabriel Xia, Zhanbo Hasan Sohel, Shahadat Hwang, Jinwoo Rajan, Siddharth Khan, Asif Lu, Wu |
Verschenen in: |
Solid-state electronics |
Paginering: |
Jaargang 164 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2020 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|