|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of recess depths on performance of AlGaN/GaN power MIS-HEMTs on the Si substrates and threshold voltage model of different recess depths for the using HfO2 gate insulator |
| Auteur: |
Zhao, Yaopeng Wang, Chong Zheng, Xuefeng Ma, Xiaohua He, Yunlong Liu, Kai Li, Ang Peng, Yue Zhang, Chunfu Hao, Yue |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 163 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |