|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of electron-phonon interaction on the formation of reverse currents of p-n-junctions of silicon-based power semiconductor devices |
| Auteur: |
Bulyarskiy, Sergey V. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 160 (2019) nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |