|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Exact frequency dependent complex admittance of the MOS diode including surface states, Shockley-Read-Hall (SRH) impurity effects, and low temperature dopant impurity response |
| Auteur: |
Temple, V. Shewchun, J. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 16 (1973) nr. 1 pagina's 21 p. |
| Jaar: |
1973 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |