|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 14 gevonden artikelen
| Titel: |
Experimental and modeling insight for fin-shaped transistors based on AlN/GaN/AlN double barrier heterostructure |
| Auteur: |
Doundoulakis, G. Adikimenakis, A. Stavrinidis, A. Tsagaraki, K. Androulidaki, M. Deligeorgis, G. Konstantinidis, G. Georgakilas, A. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 158 (2019) nr. C pagina's 1-10 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 14 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |