|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Improvement in drain-induced-barrier-lowering and on-state current characteristics of bulk Si fin field-effect-transistors using high temperature Phosphorus extension ion implantation |
| Auteur: |
Kikuchi, Yoshiaki Hopf, Toby Mannaert, Geert Everaert, Jean-Luc Kubicek, Stefan Eyben, Pierre Waite, Andrew del Agua Borniquel, Jose Ignacio Variam, Naushad Mocuta, Dan Horiguchi, Naoto |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 152 (2019) nr. C pagina's 58-64 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |