|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Properties of n type Ge-doped epitaxial GaAs layers grown from Au-rich melts |
| Auteur: |
Andrews, A.M. Holonyak Jr., N. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 15 (1972) nr. 6 pagina's 2 p. |
| Jaar: |
1972 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |