|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 10 gevonden artikelen
| Titel: |
A novel empirical I-V model for GaN HEMTs |
| Auteur: |
Yang, Jie Jia, Yeting Ye, Ning Gao, Shuo |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 146 (2018) nr. C pagina's 1-8 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 10 gevonden artikelen
| volgende >> |