|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
Highly uniform and reliable resistive switching characteristics of a Ni/WOx/p+-Si memory device |
| Auteur: |
Kim, Tae-Hyeon Kim, Sungjun Kim, Hyungjin Kim, Min-Hwi Bang, Suhyun Cho, Seongjae Park, Byung-Gook |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 140 (2018) nr. C pagina's 51-54 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |