|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of strained Ge-based NMOSFETs with Ge0.93Si0.07 stressors on device layout |
| Auteur: |
Hsu, Hung-Wen Lee, Chang-Chun |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 138 (2017) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |