|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Geometry and temperature effects on the threshold voltage characteristics of silicon nanowire MOS transistors |
| Auteur: |
Wong, Hei Yu, Qanqun Dong, Shurong Kakushima, Kuniyuki Iwai, Hiroshi |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 138 (2017) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |