|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of the enhancement-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistor with split floating gates |
| Auteur: |
Wang, Hui Wang, Ning Jiang, Ling-Li Zhao, Hai-Yue Lin, Xin-Peng Yu, Hong-Yu |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 137 (2017) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |