|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Ion/Ioff ratio enhancement and scalability of gate-all-around nanowire negative-capacitance FET with ferroelectric HfO2 |
| Auteur: |
Jang, Kyungmin Saraya, Takuya Kobayashi, Masaharu Hiramoto, Toshiro |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 136 (2017) nr. C pagina's 60-67 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |