|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Mechanism of leakage of ion-implantation isolated AlGaN/GaN MIS-high electron mobility transistors on Si substrate |
| Auteur: |
Zhang, Zhili Song, Liang Li, Weiyi Fu, Kai Yu, Guohao Zhang, Xiaodong Fan, Yaming Deng, Xuguang Li, Shuiming Sun, Shichuang Li, Xiajun Yuan, Jie Sun, Qian Dong, Zhihua Cai, Yong Zhang, Baoshun |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 134 (2017) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 12 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |